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智能手机上的sd_1

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??手机㎜对存≡储功??能的需求﹥正在迅速增长?,本文探讨了存﹢储器⊿?的≧发展趋势和几种不同??的S㎞D闪?存供电方法。

本文引用地¬址:http://ww°w.?eepw.?com.cn?∪/?a‖rti∥cle㏕/1665?25″.htm

 ≈ ∷视频与图像ml内容?的捕获、?显示与共享功能推动着对存??储器?的?需-求不断增?长。?由于小﹣型相机光学技术、高㎏度集成化图像处理以及*先进闪光技m术(采??用亮度?渐?高的LE﹢D㈱?解?决方案和⊥尺≠寸渐小№的氙光?解决?方案)的出现,?捕?o获功能正在迅速改进。纤薄且高℃效的触摸屏L?C′D、AM⊕O%LE@D以及超? AMOL∈ED解决方案,结1合直观方便?的用户?界面,2让图片和?视频图像?的显示变得简×单而生动%。㎎¥此外≮,无处×不在的网络?连接性?、各种£社交网㏄络?以及?大?量的£可下载?内?容源的智能手机上的sd_1⊙存≯在也㏒使得共♂?享功♀能加速发展。

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  这些技 ?术推﹣动手≌∝机?制造商设计出图像3分辨率为8?00?万像?素甚??至·1㎡,?200万像素的相机手机。?在视?频方面,拍摄?∮性?能达720p@⌒30f§p◎s的手机也mol开始面市。这+些都是存?储器密集型应用,其内容一*般存≦储在〒固态存℅储器中。∟

℡  虽然数码相机历来需要很大?的存储?容量,但∩对??手机而言,这种要求只是?在??近㎝几年?才变得重要起来。∑幸运的是‰,固?态∨存储器的密?度和容量在?逐渐??增﹤加,其价格¥($?/MB?)和面积(mm2/M√B?)随÷之?大幅¤降低。从图?1∣可看出,在2∵011年,NAND闪存的制造∫工艺?几?何尺寸可能突破?2?5nm。

 ∴ 图?1:N≥AND∧闪存技术的制造工艺∽几?何尺寸变化趋势。

?  对于消=费<※∷存储??应用,最常见≒的固态存?储/器格式?是S?D闪存。?目前的?SD∶闪存>基=于N?A?N℉D技术?,?有三种3?外?形尺?寸,如$图2所示∏,?分别为?SD 卡、?mi∞ni? SD?卡和 ?micro SD卡。m∠±¢尽管这?三种外形?尺寸产品的体μ积不同≤,但它们?的接口都一样。
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